@PHDTHESIS{ 2022:1691882527,
 	title = {Naphthylene−γ: proposição teórica de sistemas 1D e 2D formados por blocos fenil e naftil interligados por anéis quadrangulares},
 	year = {2022},
 	url = "https://tedebc.ufma.br/jspui/handle/tede/tede/4142",
 	abstract = "Desde a síntese do grafeno em 2004, a busca por modificações em suas propriedades,
 principalmente eletrônicas, tem motivado o estudo de formas alotrópicas de carbono que
 diferem da simetria hexagonal, característica do grafeno. Além de modificações geométricas,
 uma abordagem eficaz na modulação das propriedades eletrônicas de materiais baseados
 em carbono consiste, desde a inserção de heteroátomos, até a composição completa da
 estrutura por átomos de diferentes espécies químicas, como é o caso do uso do nitreto de
 
 boro (BN). Neste trabalho, propõe-se um novo alótropo de carbono chamado naphthylene-
 γ, o qual é conceitualmente composto pela fusão de unidades do tipo fenil e naftil através
 
 de anéis quadrados. Geometricamente, este sistema possui largos poros, compostos por
 10 e 12 átomos. Além disso, o naphthylene-γ tem a característica de possuir apenas
 anéis com número par de átomos, formando uma estrutura bipartida, o que o torna
 adequado para ser construído em uma configuração com nitreto de boro. É de se esperar
 que tal sistema exiba um largo gap eletrônico, podendo ser empregado em nanoeletrônica.
 Devido às características interessantes apresentadas pelo naphthylene-γ, também foram
 propostos sistemas híbridos a partir da substituição dos átomos de carbono por BN,
 os quais compunham os blocos básicos de construção do naphthylene-γ, com diferentes
 concentrações. Com o objetivo de estudar o que se propõe, utilizou-se uma abordagem
 de primeiros princípios, baseados na Teoria do Funcional da Densidade, implementado
 no programa SIESTA. Observou-se que o naphthylene-γ é um semicondutor com gap
 eletrônico igual a 0,12 eV. Esta propriedade é compartilhada também por suas respectivas
 nanofitas, cuja estrutura eletrônica é regida por estados quasi-1D a depender da geometria
 
 dos sistemas (quiralidade e estrutura das bordas). Para os sistemas γ híbridos, observou-
 se que o gap eletrônico não varia monotonicamente com o aumento da concentração
 
 de BN. De fato, escolhas estratégicas para as unidades substituídas por BN resultam
 em modificiações específicas na assinatura eletrônica dos sistemas. Além disso, sistemas
 completamente compostos por BN também foram investigados, chamados γ-BN (I) e
 γ-BN (II), e apresentaram gaps eletrônicos consideravelmente diferentes do nitreto de
 boro hexagonal. Nanofitas baseadas nesses sistemas BN também foram investigadas e
 apresentaram propriedades semelhantes ao correspondente 2D, visto que seus estados de
 fronteira estão localizados internamente nas estruturas das nanofitas.",
 	publisher = {Universidade Federal do Maranhão},
 	scholl = {PROGRAMA DE PÓS-GRADUAÇÃO EM FÍSICA/CCET},
 	note = {DEPARTAMENTO DE FÍSICA/CCET}
}