@MASTERSTHESIS{ 2019:455703279,
 	title = {Desenvolvimento de sensores para detecção de ácido gálico e galato de propila explorando sistemas fotoeletroquímicos autoalimentados},
 	year = {2019},
 	url = "https://tedebc.ufma.br/jspui/handle/tede/tede/2856",
 	abstract = "O presente trabalho baseia-se no desenvolvimento de dois sensores que exploram
 sistemas fotoeletroquímicos autoalimentados para a determinação dos antioxidantes ácido
 gálico (AG) e do galato de propila (GP). O primeiro sistema fotoeletroquímico explora
 dióxido de titânio sensibilizado com pontos quânticos de CdSe/ZnS
 (FTO/TiO2/CdSe/ZnS) como fotoânodo e um fotocátodo baseado em óxidos de cobre
 (FTO/CuO/Cu2O) para determinação de AG em amostra de chá verde. O segundo sistema
 fotoeletroquímico explora TiO2 modificado com sulfeto de cobre (CuS) como fotocátodo
 (FTO/TiO2/CuS) e um fotoânodo baseado na combinação de CdS e CdSe
 (FTO/CdS/CdSe) para a determinação de GP em amostra de barras de caldo desitratado.
 Os sistemas fotoeletroquímicos foram baseados em uma célula fotoeletroquímica
 autoalimentada constituída de duas cubetas plásticas separadas por um tecido de poliéster.
 As duas câmaras foram utilizadas para manter separados os fotoeletrodos. No
 compartimento cátodico foi realizado a redução de água e oxigênio enquanto o AG ou
 GP foi oxidado no compartimento anódico atuando como eliminadores de lacunas
 gerando potência na célula depedente da concentração do antioxidante utilizado.
 Caracterizações morfológicas de Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV) e
 Espectroscopia de Energia Dispersiva (EDS) foram realizadas nos fotoeletrodos
 FTO/TiO2/CuS e FTO/CdS/CdSe, assim como, as caracterizações por Microscopia
 Eletroquímica de Varredura (SECM) para FTO/TiO2/CdSe/ZnS. Medidas de Impedância
 Eletroquímica (EIS) foram empregadas para avaliar as características eletrônicas dos
 fotoânodos (FTO/TiO2/CdSe/ZnS e FTO/CdS/CdSe) e dos fotocátodos (FTO/CuO/Cu2O
 e FTO/TiO2/CuS) em termos de potencial de banda plana, densidade de portadores e
 natureza do semicondutor. Sob condições otimizadas, os sistemas fotoeletroquímicos
 autoalimentados apresentaram uma ampla faixa de resposta linear de 1 μmol L − 1 até 200
 μmol L – 1 com recuperação de 96 % e 103 % para o AG, e de 10 μmol L − 1 a 400 μmol
 L – 1 com recuperação de 95,35 % para o GP. O método de adição de padrão foi aplicado
 para quantificação dos analitos em ambos os tipos de amostras. Os sistemas
 fotoeletroquímicos apresentaram ainda boa seletividade frente às espécies interferentes
 comumente encontradas nestas amostras.",
 	publisher = {Universidade Federal do Maranhão},
 	scholl = {PROGRAMA DE PÓS-GRADUAÇÃO EM QUÍMICA/CCET},
 	note = {DEPARTAMENTO DE QUÍMICA/CCET}
}